Input sampling method and circuit, memory, and electronic device

WO2023279480 Art A1 12. Januar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023279480
Aktenzeichen: EP21948969
Anmeldetag: 17. August 2021
Veröffentlichung: 12. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H03K5/06G11C7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

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