Method for fabricating magnetic random access memory and magnetic random access memory
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC., BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023279738
- Aktenzeichen
- EP22836498
- Anmeldetag
- 25. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY - Land
- 🇨🇳 China
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.
255 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
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