Silicon carbide epitaxial substrate, method for producing silicon carbide epitaxial substrate and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2023282001 Art A1 12. Januar 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023282001
Aktenzeichen: EP22837419
Anmeldetag: 15. Juni 2022
Veröffentlichung: 12. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C30B25/20H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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