Compact drain- and heterogeneous material structure-based transistor

WO2023287174 Art A1 19. Januar 2023

Anmelder: IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023287174
Aktenzeichen: EP22842436
Anmeldetag: 12. Juli 2022
Veröffentlichung: 19. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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