Wafer defect evaluation method and apparatus, memory chip, and readable storage medium

WO2024000731 Art A1 4. Januar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024000731
Aktenzeichen
EP22948824
Anmeldetag
4. August 2022
Veröffentlichung
4. Januar 2024
Rechtsraum
WO
IPC
G06T7/00G06V10/774G06V10/82
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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