Phase-change thin film, thin film preparation method, and phase-change memory

WO2024001426 Art A1 4. Januar 2024

Anmelder: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, HUBEI YANGTZE MEMORY LABORATORIES 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024001426
Aktenzeichen: EP23829616
Anmeldetag: 14. April 2023
Veröffentlichung: 4. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
HUBEI YANGTZE MEMORY LABORATORIES
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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