Deposition and etch of silicon-containing layer

WO2024006211 Art A1 4. Januar 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024006211
Aktenzeichen: EP23832203
Anmeldetag: 26. Juni 2023
Veröffentlichung: 4. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/3065H01L21/67H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von