Anti-fuse circuit and circuit test method

WO2024007363 Art A1 11. Januar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024007363
Aktenzeichen: EP22949943
Anmeldetag: 18. Juli 2022
Veröffentlichung: 11. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/3308G11C17/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

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