Shorted-anode lateral insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

WO2024007990 Art A1 11. Januar 2024

Anmelder: UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024007990
Aktenzeichen: EP23834757
Anmeldetag: 30. Juni 2023
Veröffentlichung: 11. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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