Method for manufacturing epitaxial wafer

WO2024009705 Art A1 11. Januar 2024

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024009705
Aktenzeichen
EP23835241
Anmeldetag
13. Juni 2023
Veröffentlichung
11. Januar 2024
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/205C30B29/06H01L21/20H01L21/322
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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