Capacitor of dram device, and method for manufacturing same
WO2024010324
Art A1
11. Januar 2024
Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024010324
- Aktenzeichen
- EP23835790
- Anmeldetag
- 4. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B12/00H10N97/00H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)
Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.
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