Capacitor of dram device, and method for manufacturing same

WO2024010324 Art A1 11. Januar 2024

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024010324
Aktenzeichen
EP23835790
Anmeldetag
4. Juli 2023
Veröffentlichung
11. Januar 2024
Rechtsraum
WO
IPC
H10B12/00H10N97/00H01L21/285
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

358 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen