Semiconductor structure and preparation method
WO2024011664
Art A1
18. Januar 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024011664
- Aktenzeichen
- EP22950779
- Anmeldetag
- 27. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/49H01L29/40H01L29/423H01L29/78H01L21/336H01L21/28H01L21/285H01L21/3215
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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