Trench-type double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2024012430 Art A1 18. Januar 2024

Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024012430
Aktenzeichen: EP23838922
Anmeldetag: 11. Juli 2023
Veröffentlichung: 18. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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