Radical supply device, radical processing device, radical generation method and substrate processing method

WO2024014295 Art A1 18. Januar 2024

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024014295
Aktenzeichen: EP23839469
Anmeldetag: 28. Juni 2023
Veröffentlichung: 18. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/455C23C16/50H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von