Sic junction field effect transistor and sic complementary junction field effect transistor
WO2024014510
Art A1
18. Januar 2024
Anmelder: KYOTO UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024014510
- Aktenzeichen
- EP23839682
- Anmeldetag
- 13. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/812H01L21/337H01L21/338H01L29/808
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KYOTO UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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Fachgebiete
Vertreten von
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