Method for manufacturing transition metal dichalcogenide thin film having highly uniform three-dimensional hierarchical structure

WO2024014766 Art A1 18. Januar 2024

Anmelder: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024014766
Aktenzeichen: EP23839860
Anmeldetag: 4. Juli 2023
Veröffentlichung: 18. Januar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/30C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von