Field effect transistor device improved by means of equivalent source and drain regions
WO2024021338
Art A1
1. Februar 2024
Anmelder: SOOCHOW UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024021338
- Aktenzeichen
- EP22952776
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/08H01L29/417H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOOCHOW UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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