Method for producing a semiconductor layer by epitaxy from a growth substrate comprising a bonding layer made of a fusible material

WO2024023431 Art A1 1. Februar 2024

Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024023431
Aktenzeichen: EP23754819
Anmeldetag: 24. Juli 2023
Veröffentlichung: 1. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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