Method to reduce line edge roughness for euv photoresist pattern

WO2024025773 Art A1 1. Februar 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024025773
Aktenzeichen: EP23847191
Anmeldetag: 19. Juli 2023
Veröffentlichung: 1. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/033G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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