Pmut structure having cavity arranged above transistor unit, and manufacturing method therefor
WO2024027728
Art A1
8. Februar 2024
Anmelder: TIANJIN UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024027728
- Aktenzeichen
- EP23849434
- Anmeldetag
- 2. August 2023
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B06B1/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TIANJIN UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tianjin University
Die Tianjin University ist eine der ältesten technischen Hochschulen Chinas mit Sitz in Tianjin. Ihr Patentportfolio deckt breit die Elektronik- und Schaltungstechnik ab, ergänzt durch organische Chemie sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen sind seit 2002 belegt.
534 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.