Sin film formation method, and plasma treatment apparatus

WO2024029271 Art A1 8. Februar 2024

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024029271
Aktenzeichen: EP23849830
Anmeldetag: 6. Juli 2023
Veröffentlichung: 8. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/42H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von