Laminate molding method using high-purity silicon, laminate molding method for semiconductor production device component, semiconductor production device component, and method for forming semiconductor production device component
WO2024029329
Art A1
8. Februar 2024
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024029329
- Aktenzeichen
- EP23849886
- Anmeldetag
- 18. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/205H05H1/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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