Laminate molding method using high-purity silicon, laminate molding method for semiconductor production device component, semiconductor production device component, and method for forming semiconductor production device component

WO2024029329 Art A1 8. Februar 2024

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024029329
Aktenzeichen
EP23849886
Anmeldetag
18. Juli 2023
Veröffentlichung
8. Februar 2024
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/3065H01L21/205H05H1/46
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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