Substrate treatment device, fluid activation device, substrate treatment method, and fluid activation method

WO2024029388 Art A1 8. Februar 2024

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024029388
Aktenzeichen: EP23849943
Anmeldetag: 24. Juli 2023
Veröffentlichung: 8. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/46C23C16/452C23C16/511H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.782 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von