Resist underlayer film forming composition, and resist pattern formation method and semiconductor device manufacturing method using said composition

WO2024029445 Art A1 8. Februar 2024

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024029445
Aktenzeichen: EP23850000
Anmeldetag: 27. Juli 2023
Veröffentlichung: 8. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G61/12G03F7/004G03F7/20H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von