Semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2024031744 Art A1 15. Februar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024031744
Aktenzeichen: EP22954691
Anmeldetag: 25. August 2022
Veröffentlichung: 15. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304C09G1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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