Semiconductor structure and manufacturing method for semiconductor structure
WO2024031769
Art A1
15. Februar 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024031769
- Aktenzeichen
- EP22954715
- Anmeldetag
- 6. September 2022
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/18H01L23/48H01L21/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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