Semiconductor substrate production method and film forming composition
WO2024034311
Art A1
15. Februar 2024
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024034311
- Aktenzeichen
- EP23852294
- Anmeldetag
- 11. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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