Method for forming junction and defect structure of two-dimensional thin film material by using optical soldering, and junction and defect structure therefor
WO2024034952
Art A1
15. Februar 2024
Anmelder: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024034952
- Aktenzeichen
- EP23852833
- Anmeldetag
- 31. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/268H01L21/02H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Research Institute of Chemical Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.
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