Contact resistance acquisition method and apparatus, electronic device, and storage medium

WO2024036721 Art A1 22. Februar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024036721
Aktenzeichen: EP22955495
Anmeldetag: 9. Oktober 2022
Veröffentlichung: 22. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/33H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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