Super-junction semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2024036792 Art A1 22. Februar 2024

Anmelder: BEIJING SMARTCHIP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY COMP, BEIJING CHIP IDENTIFICATION TECHNOLOGY CO., LTD., STATE GRID CORPORATION OF CHINA 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024036792
Aktenzeichen: EP22955562
Anmeldetag: 17. November 2022
Veröffentlichung: 22. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/06H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BEIJING SMARTCHIP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY COMP
BEIJING CHIP IDENTIFICATION TECHNOLOGY CO., LTD.
STATE GRID CORPORATION OF CHINA
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 State Grid Corporation of China

State Grid Corporation of China ist der chinesische staatliche Stromnetzbetreiber und einer der größten Energieversorger weltweit. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Elektrische Energietechnik sowie Software und Mess-/Prüftechnik, ergänzt durch Halbleitertechnik. Anmeldungen sind von 2009 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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