Magnetic storage structure, magnetic storage array structure, control method therefor, and memory
WO2024040643
Art A1
29. Februar 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024040643
- Aktenzeichen
- EP22956187
- Anmeldetag
- 13. September 2022
- Veröffentlichung
- 29. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.