Patterning method

WO2024040701 Art A1 29. Februar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024040701
Aktenzeichen
EP22956241
Anmeldetag
10. Oktober 2022
Veröffentlichung
29. Februar 2024
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/308
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

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