Semiconductor structure and method for manufacturing same

WO2024040749 Art A1 29. Februar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024040749
Aktenzeichen: EP22956286
Anmeldetag: 4. November 2022
Veröffentlichung: 29. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/367H01L23/34H01L23/538H01L25/065H01L25/18H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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