Semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2024040883 Art A1 29. Februar 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024040883
Aktenzeichen: EP23855980
Anmeldetag: 16. Februar 2023
Veröffentlichung: 29. Februar 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L27/092H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L29/423H01L29/06H01L29/08H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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