Method for inspecting group-iii element nitride substrate, method for producing group-iii element nitride substrate, and method for producing semiconductor element
WO2024042777
Art A1
29. Februar 2024
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024042777
- Aktenzeichen
- EP23856897
- Anmeldetag
- 24. April 2023
- Veröffentlichung
- 29. Februar 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66C30B29/38H01L21/20H01L21/338H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
4.049 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.