Semiconductor structure manufacturing method, semiconductor structure, and semiconductor device

WO2024045733 Art A1 7. März 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024045733
Aktenzeichen: EP23858772
Anmeldetag: 1. Juni 2023
Veröffentlichung: 7. März 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105G11C11/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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