Silicon carbide substrate, method for producing silicon carbide substrate, method for producing silicon carbide single crystal, epitaxial substrate, and method for producing semiconductor device

WO2024048157 Art A1 7. März 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024048157
Aktenzeichen: EP23859926
Anmeldetag: 28. Juli 2023
Veröffentlichung: 7. März 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/06H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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