Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

WO2024049531 Art A1 7. März 2024

Anmelder: Sandisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024049531
Aktenzeichen
EP23861036
Anmeldetag
16. Juni 2023
Veröffentlichung
7. März 2024
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/08G11C16/30G11C5/14G11C16/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sandisk Technologies LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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