Semiconductor structure and method for forming same
WO2024050951
Art A1
14. März 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024050951
- Aktenzeichen
- EP22957913
- Anmeldetag
- 4. November 2022
- Veröffentlichung
- 14. März 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234H10B12/00H01L27/105H01L29/78H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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