Preparation method for quantum dot sensitized composite photo-anode, and quantum dot sensitized composite photo-anode and use therof
WO2024051019
Art A1
14. März 2024
Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024051019
- Aktenzeichen
- EP22957978
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 14. März 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C25B11/091C25B11/054C25B11/02C25B1/55
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.
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Fachgebiete
Vertreten von
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