Method for growing a gallium oxide layer on a substrate and semiconductor wafer

WO2024052149 Art A1 14. März 2024

Anmelder: SILTRONIC AG, FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024052149
Aktenzeichen: EP23762408
Anmeldetag: 28. August 2023
Veröffentlichung: 14. März 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/02C23C16/02C23C16/40C23C16/455C30B25/18C30B25/20C30B27/00C30B29/16C30B33/02C30B35/00H01L21/02C30B25/14C30B25/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SILTRONIC AG
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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