Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

WO2024054369 Art A1 14. März 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024054369
Aktenzeichen: EP23863676
Anmeldetag: 28. August 2023
Veröffentlichung: 14. März 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/27H10B43/35H01L21/3205H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von