Sputtering target for oxide semiconductor thin film formation, method for producing sputtering target for oxide semiconductor thin film formation, oxide semiconductor thin film, and thin film semiconductor device and method for producing same
WO2024057671
Art A1
21. März 2024
Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024057671
- Aktenzeichen
- EP23865033
- Anmeldetag
- 29. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 21. März 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C04B35/01C04B35/453C23C14/08H01L21/363H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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