Sputtering target for formation of oxide semiconductor thin film, method for producing sputtering target for formation of oxide semiconductor thin film, oxide semiconductor thin film, thin film semiconductor device and method for producing same
WO2024057672
Art A1
21. März 2024
Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024057672
- Aktenzeichen
- EP23865034
- Anmeldetag
- 29. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 21. März 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C04B35/01C04B35/453C23C14/08H01L21/363H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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