Built-in self-test method, built-in self-test apparatus and semiconductor memory
WO2024060315
Art A1
28. März 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024060315
- Aktenzeichen
- EP22959317
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 28. März 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/406
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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