Circuit structure and method for forming same, and memory

WO2024060332 Art A1 28. März 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024060332
Aktenzeichen: EP22959334
Anmeldetag: 10. Oktober 2022
Veröffentlichung: 28. März 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H05K1/11G06F30/3953H05K1/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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