Preparation method for dielectric thin film and device having ultra-high dielectric constant and/or ferroelectric residual polarization strength, and device

WO2024065881 Art A1 4. April 2024

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024065881
Aktenzeichen: EP22960484
Anmeldetag: 12. Oktober 2022
Veröffentlichung: 4. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/64H01G11/00H01G11/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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