Preparation method for through-silicon via having high aspect ratio and electronic electroplating chip having same

WO2024066309 Art A1 4. April 2024

Anmelder: XIAMEN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024066309
Aktenzeichen: EP23869565
Anmeldetag: 21. April 2023
Veröffentlichung: 4. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/48H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: XIAMEN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Xiamen University

Die Xiamen University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Pharma beziehungsweise Biotechnologie, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Kunststofftechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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