Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

WO2024072806 Art A1 4. April 2024

Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024072806
Aktenzeichen: EP23873533
Anmeldetag: 26. September 2023
Veröffentlichung: 4. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INFINEON TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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