Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
WO2024074431
Art A1
11. April 2024
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024074431
- Aktenzeichen
- EP23782555
- Anmeldetag
- 29. September 2023
- Veröffentlichung
- 11. April 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/14C30B15/30C30B29/06C30B30/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
375 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.